期刊文献+

用脉冲电流处理后疲劳铜单晶的位错行为 被引量:2

Dislocation behaviors under electropulsing in fatigued copper single crystals
下载PDF
导出
摘要 将[233]共面双滑移取向的铜单晶体在两种恒塑性应变幅下进行循环疲劳,形成密度不同的位错结构。用高密度脉冲电流对疲劳铜单晶体处理后,试样中位错的结构由单纯的脉络结构转化成位错胞状结构。高密度脉冲电流处理引起的热压应力不但加强了主滑移系位错的运动,还使其面次滑移系开动,在主滑移系位错和共面次滑移系位错的共同作用下导致位错胞状结构的形成。 The effect of electropulsing of high current density on dislocation structures in copper single crystals was investigated. Different dislocation structures are formed in a coplanar double-slip oriented copper single crystal under the constant plastic strain amplitude control. The results showed that the vein structures are transformed to cell structures after electropulsing treatment. Thermal compressive stress caused by electropulsing activated the coplanar slip system, led to the strong dislocations interaction between primary and coplanar slip system and formed the cell structures.
出处 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期225-229,共5页 Chinese Journal of Materials Research
基金 国家自然科学基金59931020
关键词 材料科学基础学科 共面双滑移 脉冲电流处理 位错结构 Copper metallography Crystal orientation Dislocations (crystals)
  • 相关文献

参考文献3

二级参考文献46

  • 1Tang D W,J Appl Phys,1993年,73卷,3749页 被引量:1
  • 2Cao W D,Fatigue Fract Engng Mater Struct,1992年,6卷,573页 被引量:1
  • 3周本濂,Frontiers of materials research/electronic and optical materials,1991年 被引量:1
  • 4孙力玲,博士学位论文,1994年 被引量:1
  • 5都有为,物理学进展,1998年,17卷,180页 被引量:1
  • 6周本濂,Int J Therm,1997年,18卷,2期,481页 被引量:1
  • 7秦荣山,材料研究学报,1997年,11卷,69页 被引量:1
  • 8秦荣山,’96中国材料研讨会,1996年 被引量:1
  • 9杨滨,’96中国材料研讨会,1996年 被引量:1
  • 10Zhang J S,J Catal,1996年 被引量:1

共引文献67

同被引文献39

引证文献2

二级引证文献26

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部