空间电子辐照下半导体器件的抗辐射屏蔽优化被引量：4

Optimization of Anti-Radiation Shield on Semiconductor Device under Electron Radiation in Space

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摘要该文探讨了在地球同步轨道辐照环境下对半导体器件的抗辐射屏蔽问题.针对我国空间飞行器中对半导体器件较常用的局部屏蔽加固的方法,在M-C计算机模拟的基础上对屏蔽层材料及其厚度进行了优化设计. This paper deals with the problem of shielding against electron radiation from the radiation environment of geospace. Based on the MonteCarlo simulation, optimization of shielding layer material and their thicknesses were obtained for implementing partial shielding of semiconductor devices in space vehicles.

作者徐加强王传珊

机构地区上海大学理学院上海大学射线应用研究所

出处《上海大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第3期259-262,共4页 Journal of Shanghai University:Natural Science Edition

关键词抗辐射屏蔽能量沉积半导体器件 Monte—Carlo anti-radiation shield energy deposition semiconductor device Monte-Carlo simulation

分类号 O571.33 [理学—粒子物理与原子核物理]

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上海大学学报（自然科学版）

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