LPCVD和PECVD的新趋势

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摘要低压(LPCVD)和等离子体增强(PECVD)化学汽相淀积的新发展,目的在于使材料和制造技术满足小尺寸和表面形状复杂的VLSI电路提出的要求。用一种典型的新型CMOS结构作为一种参考系统,评价了LPCVD和PECVD工艺及设备发展的新趋势。

作者 B.Gorowitz 周锡嘏

出处《微电子学》 CAS 1988年第5期55-60,79,共7页 Microelectronics

关键词化学汽相淀积等离子体新趋势化学气相沉积 LPCVD PECVD

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微电子学

1988年第5期

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