代替Flash和SRAM的铁电存储器

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摘要到目前为止,根据使用领域,Flash(闪存)、SRAM和 DRAM 第一选择主要用于便携设备。但新技术挤进市场。铁电随机存取存储器(FRAM)(Ferroelec-tric Random Access Memory),一种非易失性存储器,消耗能量少,写入/读出次数无限,没有备用电池仍正常工作,多年存储后也不会消失,并具有高运行速度和高存储容量的特点。与借助电容以电荷形式存储数据的一般存储器芯片相反,FRAM

作者盛水源

出处《中国集成电路》 2003年第47期75-76,共2页 China lntegrated Circuit

关键词 F1ASH SRAM 铁电存储器闪存 FRAM 铁电随机存取存储器

分类号 TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构] TN384 [自动化与计算机技术—计算机科学与技术]

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中国集成电路

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