摘要
提出了电子器件门电路硅氧化层介质击穿的物理模型。并使用该模型讨论了介质击穿场强与介质厚度的关系 ,解释了介质击穿电压与ESD(静电放电 ,electrostaticdischarge)脉冲的尺寸效应。
This paper presents a physical model of ESD dielectric breakdown in IC silicon dioxide films, discusses the dependence between dielectric breakdown field strength and dielectric thickness by using this model, and analyzes the size effect of the dielectric breakdown voltage and ESD pulses.
出处
《上海海运学院学报》
北大核心
2003年第1期56-59,共4页
Journal of Shanghai Maritime University
关键词
氧化层
介质击穿
ESD技术
dioxide films
dielectric breakdown
ESD technology