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Ga_xIn_(1-x)P混晶的拉曼散射研究

RAMAN SCATTERING ON In_(1-x)Ga_xP MIXED CRYSTALS
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摘要 本文报道了Ga_xIn_(1-x)P混晶的室温拉曼散射和X射线衍射的测试结果。所用的样品用MOCVD方法生长在<100>晶向的GaAs衬底上。混晶组分x值在0.54~0.95之间。实验结果表明,Ga_xIn_(1-x)P混晶的长波长光学声子谱呈现修正的双模行为,具有类GaP和类InP两个光学支。 Raman scattering measurement at room temperature of In_(1-x)Ga_xP mixed crystals are reported. The sample used in this study was grown by MOCVD method on <100> oriented GaAs substrates. The constituent values are ranged from 0.54 to 0.95. It is shown that In_(1-x)Ga_xP mixed crystals exhibit modified two mode behavior, there are GaP-like and InP-like optical branches.
出处 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期11-14,共4页 Spectroscopy and Spectral Analysis
关键词 混晶 双模 喇曼效应 散射谱 Mixed crystal Two mode Raman scattering
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