摘要
本文给出了一种用于测量低功率半导体激光器波长的新方法,测量精度可小于0.2nm。用此方法对GaAlAs半导体激光器的发射波长和模特性进行了测试和分析,得到了GaAlAs半导体激光器波长随工作电流和温度的变化关系。
An interferometric method is proposed and used to the measurement and anlysis for the wavelength and characteristics of GaAlAs semiconductor laser. The relations of laser wavelength to the operating current and temperature are obtained.
出处
《光电子．激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第3期146-148,共3页
Journal of Optoelectronics·Laser
