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在动态HF环境中YLiF_4激光基质的制备与单晶生长

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摘要利用多掺杂YLiF4（YLF）来制造在2.06微米工作的激光器近来颇引人注目。由于主要成分为非一致熔融的,故通常采用所谓籽晶头部溶液法从过量LiF熔体中生长。因此倾向于把影响YLF材料光学质量的某些特定散射中心归因于生长时液体和固体成分的变化。

作者本诗

出处《激光与红外》 CAS 1977年第3期28-28,共1页 Laser & Infrared

关键词 YLiF4 氟氧化物

分类号 TN2 [电子电信—物理电子学]

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激光与红外

1977年第3期

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