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多孔硅的喇曼光谱研究 被引量:1

Raman Study on Porous Silicon
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出处 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第6期5-7,共3页 Chinese High Technology Letters
基金 国家自然科学基金
关键词 多孔硅 喇曼光谱 半导体 Porous Silicon Raman spectrum
  • 相关文献

同被引文献17

  • 1Lin T L,Appl Phys Lett,1987年,51卷,814页 被引量:1
  • 2Yong I M,Appl Phys Lett,1985年,46卷,1133页 被引量:1
  • 3张树霖,Appl Phys Lett,1993年,62卷,642页 被引量:1
  • 4张树霖,半导体学报,1993年,14卷,2期,60页 被引量:1
  • 5Qian B D,1992年 被引量:1
  • 6Tsu T,Appl Phys Lett,1992年,60卷,112页 被引量:1
  • 7Xu Z Y,Appl Phys Lett,1992年,60卷,1375页 被引量:1
  • 8Zheng J P,Appl Phys Lett,1992年,61卷,459页 被引量:1
  • 9张树霖,J Appl Phys,1992年,72卷,4469页 被引量:1
  • 10钱必东,高技术通讯,1992年,2卷,4期,9页 被引量:1

引证文献1

二级引证文献1

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