摘要
根据同一晶向的晶面具有平移周期对称性 ,将托马斯 费米方程引入晶体的平面沟道中求解Si(110 )平面沟道内的电场 ;然后把求得的结果用于计算平面沟道临界角。结果表明 :用托马斯 费米方程求得的平面沟道场能较好地描述Si(110 )平面沟道内的电场特征。
According to the transnational periodically symmetry of crystal plane in its space,the author introduce the Thomas-Fermi equation in crystal planar channeling electric fields;then calculate the electric fields of single crystal Si(110)and its critical angle.The good fits with the experimental data are obtained.The results show that the Thomas-Fermi equation in crystal planar channeling may describe the characters of planar channeling.
出处
《北京大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第1期68-72,共5页
Acta Scientiarum Naturalium Universitatis Pekinensis
基金
国家自然科学基金 (10 0 75 0 0 4)
中国高性能计算中心 (北京 )资助项目
