摘要
结合我们近年来在掺稀土硅基材料和Ⅲ Ⅴ族化合物半导体材料的发光研究,简述目前国际上在这方面研究的新进展。重点介绍掺铒硅基发光和掺稀土GaN发光材料和器件的研究结果。
出处
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
2002年第6期521-525,共5页
Journal of the Chinese Society of Rare Earths
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号60176025
69976028)
参考文献9
-
1Chen W D, Liang J J, Hsu C C. The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx [J]. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1999, 560: 107. 被引量：1
-
2Liang Jianjun, Chen Weide, Wang Yongqian, et al. Photoluminescence and microstructure of erbium-doped hydrogenated amorphous SiOx [J]. Chin. Phys. Lett., 2000, 17(11): 838. 被引量：1
-
3Liang Jianjun, Chen Weide, Wang Yongqian, et al. 1.54 μm Luminescence characteristic of erbium in B, P doped a-SiO:H films [J]. Chin. Phys., 2000, 9(10): 783. 被引量：1
-
4Ennen H, Pomrenke G, Axmann A, et al. 1.54 μm electroluminescence of erbium-doped silicon grown by MBE, Appl [J]. Phys. Lett., 1985, 46: 381. 被引量：1
-
5Zheng B, Michel J, Ren F Y G, et al. Room-temperature sharp line electroluminescence at 1.54 μm from an erbium-doped silicon light-emitting diode [J]. Appl. Phys. Lett., 1994, 64: 2842. 被引量：1
-
6Kimerling L C, Kolenbrander K D, Michel J, et al. Light emission from silicon [J]. Solid State Phys., 1997, 50: 333. 被引量：1
-
7Michel J, Zheng B, Palm J, et al. Erbium doped silicon for light emitting devices [J]. Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1996, 422: 317. 被引量：1
-
8Wilson R G, Schwartzr N, Abernathy C R, et al. 1.54 μm photoluminescence from Er-implanted GaN and AlN [J]. Appl. Phys. Lett., 1994, 65: 992. 被引量：1
-
9Steckl A J, Birkhahn R. Visible emission from Er-doped GaN grown by solid source molecular beam epitaxy [J]. Appl. Phys. Lett., 1998, 73: 1700. 被引量：1
同被引文献10
-
1张家雨,顾培夫,刘旭,唐晋发.低电阻率介质层制备低压驱动薄膜电致发光器件的研究[J].光电子技术,1995,15(4):280-284. 被引量：3
-
2张春光,卞留芳,陈维德.Photoluminescence study on Eu-implanted GaN[J].Chinese Physics B,2005,14(10):2141-2144. 被引量：1
-
3徐叙瑢,苏勉曾主编.发光学和发光材料[M].北京:化学工业出版社,2004.3. 被引量：1
-
4Zavada J M,Hommerich U,Stachl A J.III-Nitride Semiconductors,Optical Properties[M].Taylor and Franis Books,INC.,2002. 被引量：1
-
5Zhang C G,Chen W D,Bian L F,et al.Preparation and characterization of GaN films by radio frequency magnetron sputtering and carbonized-reaction technique[J].Applied Surface Science,2006,252:2153. 被引量：1
-
6Song S F,Chen W D,Zhang C G,et al.Raman scattering and photoluminescence studies of Er-implanued and Er+O coimplanted GaN[J].Journal of Applied Physics,2004,96(9):4930. 被引量：1
-
7Hiroshi Harima.Properties of GaN and related compounds studied by means of Raman scattering[J].Journal of Physics:Condensed Matter,2002,14:R967. 被引量：1
-
8Katsikini M,Papagelis K,Paloura E C,et al.Raman study of Mg,Si,O,and N implanted GaN[J].Journal of Applied Physics,2003,94(7):4389. 被引量：1
-
9Limmer W,Ritter W-Sauer R,et al.Raman scattering in ion-implantation GaN[J].Applied Physics Letters,1998,72(20):2589. 被引量：1
-
10Kaschner A,Siegle H,Kaczmarczyk G,et al.Local vibrational modes in Mg-doped GaN grown by molecular beam epitaxy[J].Applied Physics Letters,1999,74(22):3281. 被引量：1
二级引证文献2
-
1王质武,刘文,张勇,杨清斗,卫静婷,唐伟群,张浩希.稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用[J].功能材料,2007,38(A01):21-24.
-
2王晓丹,夏永禄,韩晶晶,毛红敏.红光发射GaN∶Eu材料与器件研究进展[J].人工晶体学报,2018,47(10):2064-2069. 被引量：1
-
1万钧,盛篪,陆肪,龚大卫,樊永良,林峰,王迅.掺铒SiO_x的光致发光特性[J].物理学报,1998,47(10):1741-1746. 被引量：7
-
2陈维德,李秀琼.硅基发光材料和器件研究的进展[J].光电子技术与信息,2000,13(2):13-19. 被引量：1
-
3鲍希茂.硅基发光材料研究进展[J].物理,1997,26(4):198-203. 被引量：5
-
4曾刚,杨宏春,阮成礼,杨春.硅基发光材料研究进展[J].压电与声光,2004,26(4):296-300. 被引量：4
-
5陈维德.21世纪的光学和光电子学讲座 第二讲 硅基发光材料和器件研究[J].物理,1999,28(12):741-745. 被引量：4
-
6张珍容,魏坤,万隆,石棋,唐绍裘.硅基发光材料进展[J].中国陶瓷工业,2004,11(5):38-40. 被引量：1
-
7田海虹.硅基发光光明万里——记“南昌大学半导体照明技术”教育部创新团队[J].中国科技纵横,2010(16):272-272.
-
8刘伟,牛萍娟,李晓云,郭维廉.Si基发光的研究进展[J].微纳电子技术,2009,46(3):154-159.
-
9王兴军,苏昭棠,周治平.硅基光电子学的最新进展[J].中国科学：物理学、力学、天文学,2015,45(1):1-31. 被引量：26
-
10鲍希茂,宋海智.硅基发光材料研究进展[J].材料研究学报,1997,11(6):601-611. 被引量：14
