首片国产8英寸蓝宝石衬底GaN HEMTs晶圆发布!

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摘要 4月10日,在2024武汉九峰山论坛上,西安37电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。据李祥东教授在会上介绍,通过调控外延工艺,其GaN外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压轻松突破2000V。

出处《变频器世界》 2024年第4期29-29,共1页 The World of Inverters

关键词外延工艺击穿电压 HEMTS 外延片 GaN 电子科技大学晶圆均匀性控制

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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