东芝级联共源共栅技术解决GaN应用痛点

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摘要和传统的硅功率半导体相比,GaN(氮化镓)和SiC(碳化硅)有着更高的电压能力、更快的开关速度、更高的工作温度、更低导通电阻、功率耗散小、能效高等共同的优异的性能,是近几年来新兴的半导体材料。但他们也存在着各自不同的特性,简单来说,GaN的开关速度比SiC快,SiC工作电压比GaN更高。GaN的寄生参数极小,开关速度极高。

作者黄文源

机构地区东芝电子元件(上海)有限公司半导体技术统括部技术企划部

出处《电子产品世界》 2022年第7期9-9,共1页 Electronic Engineering & Product World

关键词开关速度功率半导体半导体材料低导通电阻共源共栅功率耗散寄生参数氮化镓

分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]

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