日本研发了一种生长高质量GaN晶体的新技术

导出

摘要据外媒报道﹐日本国家材料科学研究所(NIMS)与东京工业大学(Tokyo Tech)研发了一种生长高质量GaN晶体的技术,与现有技术生长的GaN晶体相比,新技术制成的GaN晶体缺陷会少很多。与直接在溶液中生长晶体的传统技术不同,新技术采用了一种涂有合金薄膜的基底﹐以防止溶液中不合乎需求的杂质被困到生长的晶体中。

出处《半导体信息》 2021年第1期14-15,共2页 Semiconductor Information

关键词东京工业大学生长晶体合金薄膜材料科学高质量

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1本刊编辑部.战疫加速教育数字化转型[J].中国教育网络,2020(12):1-1.
2张红男(翻译).性能优异的高强度镁合金板材[J].现代材料动态,2018,0(7):2-2.
3许建耘.日本与中国大学合作开发的双功能催化剂可实现费-托合成直接转化成不同类型的液体燃料[J].石油炼制与化工,2019,50(3):91-91.
4张红男(翻译).可以解决屏幕碎裂的现代新材料[J].现代材料动态,2019,0(2):1-2.
5弥生,九月.以形写意:当代汉字设计[J].艺术与设计,2021(1):22-35.
6艺术展推荐[J].艺术与设计,2021(2):170-171.

半导体信息

2021年第1期

浏览历史

内容加载中请稍等...

日本研发了一种生长高质量GaN晶体的新技术

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史