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退火对CdZnTe薄膜阻变特性影响研究

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摘要 CdZnTe(简称为CZT)薄膜是近年发展起来的一种性能优异的新型半导体材料,可用于探测器、太阳能电池、阻变存储器等方面。然而,CdZnTe材料发生电阻转变的物理机制还不太清晰,本论文采用射频磁控溅射制备具有阻变特性的CdZnTe薄膜,利用X射线衍射仪、原子力显微镜和半导体测试系统等设备测试分析CdZnTe薄膜的结构、表面形貌及电学性能,研究退火对其阻变特性的影响。
作者 高杨帆 杨虎 曾冬梅
机构地区 北京石油化工学院材料科学与工程学院
出处 《数码设计》 2020年第20期157-158,共2页 Peak Data Science
基金 大学生研究训练[URT]计划项目(2019J00095)。
关键词 CdZnTe薄膜 阻变 磁控溅射
分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]
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参考文献2

二级参考文献67

  • 1ChenA, Haddad S, WuY C, FangT N, et al. Non- volatile resistive switching for advanced memory applica-tions [ J]. IEEE Electron Devices Meeting, San Francisco, 2005 -12, IEDM Technical Digest, San Francisco: 2005, 746749. 被引量：1
  • 2Lee M J, Park Y, Suh D S, et al. Two series oxide resis- tors applicable to high speed and high density nonvolatile memory [ J]. Advanced Materials, 2007, 19:3919 - 3923. 被引量：1
  • 3Chen A, Haddad S, Wu Y C ,et al. Switching characteris- tics of Cu2O metal - insulator - metal resistive memory [J]. Applied Physics Letters, 2007, 91:123517. 被引量：1
  • 4Kund M, Beitel G, Pinnow C U, et al. Conductive bridg- ing RAM ( CBRAM ) : an emerging non - volatile memory technology scalable to sub 20nm [ C ]. IEEE Electron De- vices Meeting, Washington DC, 2005 - 12, IEDM Techni- cal Digest, Washington DC : 2006, 754 - 757. 被引量：1
  • 5Dietrich S, Angerbauer M, Ivanov M, et al. A nonvolatile 2- mbit cbram memory core featuring advanced read and program control [ J ]. Solid - State Circuits, 2007,42 (4) : 839 - 845. 被引量：1
  • 6Baek I G, Lee M S, Seo S, et al. Highly scalable nonvola- tile resistive memory using simple binary oxide driven by asymmetric unipolar voltage pulses [ C ]. IEEE Electron Devices Meeting, San Francisco, 2005 -12, IEDM Tech- nical Digest, San Francisco: 2005, 754 - 757. 被引量：1
  • 7Sawa A. Resistive switching in transition metal oxides [ J]. Materials Today, 2008, 6( 11 ): 28- 36. 被引量：1
  • 8Beck A, Bednorz J G, Gerber C, et al. Reproducible switching effect in thin oxide films for memory applications [J]. Applied Physics Letters, 2000, 77(1) : 139. 被引量：1
  • 9Sawa A, Fujii T, Kawasaki M, et al. Hysteretic current - voltage characteristics and resistance switching at a recti- fying Ti/Pr0.7 Ca0.3 MnO3 interface [ J ]. Applied Physics Letters, 2004, 85(18):4073. 被引量：1
  • 10Fujii T, Kawasaki M, Sawa A, et al. Hysteretic current - voltage characteristics and resistance switching at an epi- taxial oxide Schottky junction SrRuO3/SrTi0.99 Nb0.01 O3 [ J]. Applied Physics Letters, 2005, 86: 012107. 被引量：1

共引文献5

数码设计
2020年 第20期

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