摘要
引言半导体材料中少数载流子**的寿命是一个非常重要的参数,它标志着半导体材料的性能及品格的完整性,而且在半导体器件特別是晶体管的制造时,半导体材料中少子寿命的大小对晶体管的性能有重大的影响。
The method of photoconductivity decay for measuring the lifetime of minority carriersis introduced, and the advantages and disadvantages of the method is discussed.
出处
《复旦学报（自然科学版）》
CAS
1960年第2期243-249,共7页
Journal of Fudan University：Natural Science
