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晶界位错运动的空位晶体相场模拟 被引量:10

Vacancy Phase-field-crystal Simulation of Dislocation Motion of Grain Boundary
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摘要 【目的】研究不同形式的应力对位错运动形式的影响。【方法】通过添加空位自由能项修正晶体相场模型(Phase-field-crystal model,PFC model),得到空位晶体相场法模型(Vacancy phase-field-crystal model,VPFC model),并采用VPFC模拟小角度晶界(Grain Boundary)在外加单方向应力作用下的变形过程。【结果】在外加单方向应力作用下,小角度晶界位错组作攀移运动时系统自由能增加,位错组滑移时出现系统自由能下降和位错反应等现象。x方向拉应力促使位错发生负攀移,压应力促使位错发生正攀移。【结论】VPFC模型可有效模拟晶界位错、空位等微结构演化过程。 【Objective】T h e influence of different f o r m s of stress o n dislocation m o v e m e n t w a sstudied.[MethodslBy adding a vacancy free energy t e r m,w e obtained a n e w m o d e l of vacancyph a s e-field-crystal(V P F C),w h i c h w a s used to simulate the deformation process of low-anglegrain b o u n daries(G B s)un d e r a single direction stress.【Results】T h e simulation results s h o wthat the free e n ergy of s y s t e m increases w h e n dislocations climb o n G B s w h e r e a s the free energy decreases w h e n dislocations glide with the appearance of dislocations reaction.T h e tensilestress of x direction p r o m p t s dislocations to negative climb i n g,a n d compressive stress o n thecontrary.【Conclusion】T h e V P F C m o d e l can effectively simulate the microstructure evolutionprocess of grain b o u n d a r y dislocations a n d vacancies.
作者 黄世叶 李胜男 胡绪志 孔令一 卢强华 高英俊 HUANG Shiye;LI Shengnan;HU Xuzhi;KONG Lingyi;LU Qianghua;GAO Yingjun(School of Physical Science and Technology , Guang xi University, Nanning , Guangxi , 530004 ,China)
出处 《广西科学》 CAS 2016年第5期459-464,共6页 Guangxi Sciences
基金 国家自然科学基金项目(51161003,50661001) 广西自然科学基金重点项目(2012GXNSFDA053001) 广西大学大创项目(201610593220,201610593218)资助
关键词 晶体相场 位错 应变 晶界 phase-field-crystal dislocation strain grain boundary
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