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半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理 被引量:5

Scaling of Hydrogenic Impurity Binding Energy and Virial Theorem in Semiconductor Quantum Wells and Wires
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摘要 利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值 .计算结果表明 :的确存在一个参数 (杂质有效玻尔半径 )可用来完全确定束缚能的值 ,而不必考虑截面的形状和尺寸 ;体系的维里定理值并不等于常数 ,而是随杂质有效玻尔半径变化 ,在阱宽较小和较大时 ,维里定理值都趋于 2 . The scaling rule for hydrogenic impurity binding energy and the Virial theorem value (potential to kinetic energy) in quantum wells and wires of rectangular cross section with three different section ratios are studied through the variational method. The results reveal that (1) A parameter (impurity effective Bohr radius a im ) that the impurity binding energy strongly depend on does exist;(2) The Virial theorem value is nonconstant but approaches 2 from above when the wire width is very small or large and the Virial theorem value versus a im does not increase monotonically due to the consideration of the correlation effect between the confined and non confined directions.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第9期925-929,共5页 半导体学报(英文版)
基金 河北省自然科学基金 (No.199181) 河北省教育厅自然科学基金 (No.2 0 0 10 4)资助项目~~
关键词 杂质束缚能 度规法则 维里定理 量子阱 量子线 scaling rule Virial theorem quantum well quantum wire impurity
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献22

  • 1马德录,半导体学报,1986年,7卷,164页 被引量:1
  • 2刘振鹏,半导体学报,1984年,5卷,327页 被引量:1
  • 3李树深,半导体学报,1990年,11卷,647页 被引量:1
  • 4朱嘉麟,Phys Rev B,1989年,39卷,8609页 被引量:1
  • 5朱嘉麟,物理学报,1989年,38卷,1093页 被引量:1
  • 6朱嘉麟,物理学报,1989年,38卷,385页 被引量:1
  • 7夏建白,物理学报,1988年,37卷,1页 被引量:1
  • 8马德录,半导体学报,1986年,7卷,164页 被引量:1
  • 9刘振麟,J Phys C,1985年,18卷,691页 被引量:1
  • 10刘振鹏,半导体学报,1984年,5卷,327页 被引量:1

共引文献7

同被引文献53

引证文献5

二级引证文献10

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