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CMOS集成电路的ESD测试

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摘要 文章介绍了CMOS集成电路ESD的概念和静电的产生,研究了ESD测试的常用模型HBM、MM,分析了常用测试组合,说明了CMOS集成电路ESD测试的重要性。
作者 唐立伟
出处 《电子制作》 2013年第12X期7-8,共2页 Practical Electronics
关键词 ESD HBM MM
  • 相关文献

参考文献3

  • 1梁波,易建政,高玉龙,续新宇,张耀.军事领域中的防人体静电危害研究[J].装备环境工程,2008,5(2):80-82. 被引量:2
  • 2Ming-Dou Ker.Whole-Chip ESD Protection Design with Efficient VDD-to-VSS ESD Clamp Circuits for Submicron CMOS VLSI[]..1999 被引量:1
  • 3肖珂..深亚微米CMOS集成电路静电保护结构设计研究[D].国防科学技术大学,2008:

二级参考文献4

共引文献1

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