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脉冲漏极电流IDM及短路保护
被引量:
3
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摘要
<正>在以前的文章中讨论过,数据表中连接漏极电流是一个计算值,对于实际的选型没有参考价值;脉冲漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为IDM,脉冲漏极电流IDM是一个测量值,本文就讨论脉冲漏极电流IDM的定义,以及和实际应用的关系。脉冲漏极电流IDM定义通常功率MOSFET工作有三个工作区、截止区、线性区和可变电阻区。
作者
刘松
机构地区
万国半导体元件(深圳)有限公司
出处
《今日电子》
2018年第Z1期21-23,25,共4页
Electronic Products
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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今日电子
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