真空电子技术
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5陆秋俊,王中健.4H-SiC基超结器件各向异性的TCAD建模分析[J].电子器件,2016,39(3):505-511.
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6王成友,徐勇,林钧岫,宋昌烈.大功率CO激光器放电区等离子体特性的研究[J].光电子.激光,1997,8(2):25-28. 被引量:1
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