摘要
以碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体,可在更高温度、电压及频率环境正常工作,同时消耗电力更少,持久性和可靠性更强,将为下一代更小体积、更快速度、更低成本、更高效率的电力电子产品提供飞跃的机遇。本文对碳化硅电力电子器件技术国内外发展现状与趋势进行了梳理,并提出了我国进一步发展重点和对策建议。
出处
《科技中国》
2018年第6期4-7,共4页
China Scitechnology Think Tank
基金
科技创新战略研究专项项目"重点科技领域发展热点跟踪研究"(编号:ZLY2015072)研究成果之一
