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无创颅内压监测在脑水肿患者中的应用 被引量:7

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摘要 脑水肿是神经科中大面积脑梗死、脑出血、中毒性脑病患者中常见而严重的病症,是导致患者死亡的主要原因。准确、及时地判断脑水肿的变化,评价脱水药物的使用时效,正确处理脑水肿情况,对患者预后极其重要。目前,脑水肿监测的常用手段主要为有创性和无创性颅内压监测,前者的应用受到限制;后者包括头颅CT和磁共振,虽可准确评价脑水肿程度和范围,但不能用于危重症患者床旁检测,在实际应用中受到限制。军事医学研究院附属医院神经内科自2010年起引进BORN—BE型无创脑水肿动态监测仪(重庆市博恩科技有限公司),用于测定脑水肿患者电阻抗扰动系数(即脑水肿情况),现将结果报道如下。
出处 《军事医学》 CAS CSCD 北大核心 2018年第1期79-80,共2页 Military Medical Sciences
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