氮化镓基IMPATT二极管电学特性模拟研究

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摘要基于宽禁带半导体氮化镓材料,设计了传统的高-低结构的碰撞电离雪崩渡越时间(IMPATT)二极管,并对其直流特性和高频特性进行了模拟研究。模拟结果显示该IMPATT二极管工作频率达到300GHz,输出功率为1.94W,直流-射频转换效率达到17.2%,结果表明氮化镓材料在太赫兹器件制造领域应用潜力巨大。

作者马春玲

机构地区潍坊广文中学

出处《潍坊学院学报》 2017年第6期16-19,共4页 Journal of Weifang University

关键词宽禁带半导体氮化镓 IMPATT

分类号 TN311 [电子电信—物理电子学]

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