摘要
南京电子器件研究所通过外延层转移的方法在国内首次实现了InPHBT与Si MOSFET两种晶体管的单片异构集成，突破了InP HBT外延层转移、三维高密度异构互联、异构集成电路设计等关键技术，研制出13GSps 1：16异构集成量化降速芯片，如图1所示，共包含453个0．7μm InP HBT器件与1036个0．18μm Si MOSFET器件。
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第1期F0003-F0003,共1页
Research & Progress of SSE
