第4代超宽禁带半导体β-Ga203单晶生长突破2英寸

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摘要据报道，近期，同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓（β-Ga2O3）单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶，X射线双晶摇摆曲线半高宽27”，位错密度3．2×10^4／m^2，表面粗糙度〈5A，该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

出处《新材料产业》 2017年第8期79-79,共1页 Advanced Materials Industry

关键词单晶生长宽禁带半导体 β-Ga2O3 自主知识产权电力电子器件表面粗糙度工程学院物理科学

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

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