摘要
通过对30mm×25mm尺寸的碲镉汞材料和器件进行双面平坦化工艺,使其平面度达到与Si读出电路互连要小于2μm的要求,提高了MW1280×1024焦平面器件互连成品率。
The HgCdTe material with the size of 30 mm × 25 mm is processed by the double-surface flattening process. After processing,the total thickness variation（TTV） is lower than 2 jjim,which meets the demand of Si ROIC flip chip,and the flip chip bonding yield of MW1280 x 1024 focal plane arrays（FPA） is remarkably improved.
出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第8期992-995,共4页
Laser & Infrared
基金
国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
