摘要
本文研究了一种S波段320W GaN内匹配功率放大器。该器件基于自主研发36V工作的GaN HEMT管芯。以负载牵引结果为出发点,运用电子仿真技术对管芯进行了基波匹配,并针对管芯二次谐波阻抗进行了匹配优化,最终用功率分配/合成器进行了四路功率合成。在工作电压36V,占空比20%,脉宽400μs测试条件下,3.0~3.5GHz频段内输出功率大于320W(55d Bm),功率增益大于14d B,功率附加效率大于62%。
出处
《通讯世界》
2017年第12期25-26,共2页
Telecom World
