苏州纳米所在硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展

下载PDF

导出

摘要硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。虽然硅作为间接带隙材料，发光效率极低，难以直接作为发光材料，但研究人员提出利用具有高发光效率的Ⅲ～Ⅴ族材料作为发光材料，生长或者键合在硅衬底上，从而实现硅基光电集成。

出处《现代科学仪器》 2016年第4期46-46,共1页 Modern Scientific Instruments

关键词硅衬底半导体激光器 INGAN 纳米苏州发光效率发光材料半导体行业

1可望实现无阈值激光作用的新带隙材料[J].国外激光,1994(11):23-24.
2Erich Kasper.基于锗硅芯片的光电子学前景与挑战[J].光学与光电技术,2010,8(2):1-6. 被引量：2
3李宏建,彭景翠,瞿述,许雪梅,黄生祥,夏辉.硅基材料的发光特性及机理[J].材料导报,2001,15(9):36-37.
4杨德仁,牛俊杰,张辉,王俊,杨青,余京,马向阳,沙健,阙端麟.硅基一维纳米半导体材料的制备及光电性能[J].南京大学学报（自然科学版）,2005,41(1):31-40. 被引量：9
5Dan Kinzer.何时迎来宽能带隙时代?[J].世界电子元器件,2012(1):51-51.
6孙景,刘诗云,张继永.硅基光电集成与光纤到户[J].科技致富向导,2012(15):169-169.
7胡炜玄,成步文,薛春来,薛海韵,苏少坚,白安琪,罗丽萍,俞育德,王启明.硅基室温电流注入Ge/Si异质结发光二极管[J].激光与光电子学进展,2010,47(3):14-14.
8于忠卫,徐骏.半导体科学前沿之硅基光电集成[J].物理教师,2015,36(11):64-67.
9锗材料改善热光电效率[J].电子设计技术 EDN CHINA,2006,13(7):49-49.
10石墨烯纳米带制备研究获新进展[J].中国材料进展,2011,30(5):26-26.

现代科学仪器

2016年第4期

浏览历史

内容加载中请稍等...