1200V碳化硅MOSFET

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摘要全新1200VSiCMOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。

出处《今日电子》 2016年第7期67-67,共1页 Electronic Products

关键词 MOSFET 碳化硅性能优势可靠性数量级

1CPM F- 1200-S080B/S 160B：硅MOSFET[J].世界电子元器件,2012(2):34-34.
2曹洪奎,陈之勃,孟丽囡.SiC MOSFET与Si MOSFET在开关电源中功率损耗的对比分析[J].辽宁工业大学学报（自然科学版）,2014,34(2):82-85. 被引量：5
3姬慧莲,杨银堂,郭中和,柴常春,李跃进.碳化硅MOSFET反型沟道迁移率的研究[J].微电子学与计算机,2003,20(4):66-69.
4英飞凌推出1200V碳化硅MOSFET技术提升电源转换设计效率和性能[J].电源技术应用,2016,0(5).
5钟志远,秦海鸿,朱梓悦,袁源,余忠磊.碳化硅MOSFET器件特性的研究[J].电气自动化,2015,37(3):44-45. 被引量：3
6徐国林,朱夏飞,刘先正,温家良,赵志斌.基于PSpice的碳化硅MOSFET的建模与仿真[J].智能电网,2015,3(6):507-511. 被引量：17
7科信.Wolfspeed发布1700V碳化硅MOSFET[J].半导体信息,2015,0(6):22-23. 被引量：1
8耿浩杰.DC-DC变换器中IGBT并联不均流及开关损耗问题研究[J].机电信息,2013(15):34-35. 被引量：1
9钟志远,秦海鸿,袁源,朱梓悦,谢昊天.碳化硅MOSFET桥臂电路串扰抑制方法[J].电工电能新技术,2015,34(5):8-12. 被引量：16
10柯俊吉,赵志斌,魏昌俊,徐鹏,谢宗奎,杨霏.寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响[J].半导体技术,2017,42(3):194-199. 被引量：15

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