AlGaN/GaN HEMT技术与其专利申请分析研究

下载PDF

导出

摘要 AlGaN/GaN HEMT器件在微波大功率和高温应用方面均具有明显的优势,已经成为当前研究的热点之一。本文介绍了AlGaN/GaN HEMT的工作原理,并结合全球与本国的关于AlGaN/GaN HEMT的相关专利申请情况,梳理出当AlGaN/GaN HEMT的专利申请趋势。

作者黄宝莹

机构地区国家知识产权局专利局专利审查协作广东中心

出处《电子世界》 2016年第12期41-41,共1页 Electronics World

关键词 ALGAN/GAN HEMT 原理专利申请

参考文献5

1张小玲,吕长治,谢雪松,李志国,曹春海,李拂晓,陈堂胜,陈效建.AlGaN/GaN HEMT器件的研制[J].Journal of Semiconductors,2003,24(8):847-849. 被引量：18
2祃龙,王燕,余志平,田立林.AlGaN/GaN材料HEMT器件优化分析与I-V特性[J].Journal of Semiconductors,2004,25(10):1285-1290. 被引量：8
3罗谦..AlGaN/GaN HEMT器件物理模型和关键工艺技术研究[D].电子科技大学,2007:
4赵正平.GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换[J].半导体技术,2014,39(1):1-6. 被引量：6
5付文丽..GaN HEMT功率器件新结构和模型研究[D].电子科技大学,2013:

1Eastman L F,Tilak V, Smart J, et al. IEEE Trans Electron Devices, 2001,48(3) : 479. 被引量：1
2Fan Zhifang, Lu Changzhi, Botchkarev A E, et al. Electron Lett, 1997,33(9) : 814. 被引量：1
3Sullivan G J,Chen M Y,Higgins J A,et al. IEEE Trans Electron Devices,1998,19(6) :198. 被引量：1
4Wu Yifeng, Kapolnek D, Ibbetson J P, et al. IEEE Trans Electron Devices,2001,48(3) :586. 被引量：1
5Wu Y F,Kelier B P,Keller S,et al. Appl Phys Lett,1996,69(10):1438. 被引量：1
6Khan M A,Shur S M,Chen Q,et al. Appl Phys Lett,1996,68(21):3022. 被引量：1
7Kumar W, Lu W, Khan F A,et al. Electron Lett, 2002, 39(5):252. 被引量：1
8Chen Q,Yang J W,Kahn M A,et al. Electron Lett, 1997,33(16):1413. 被引量：1
9Stengel F,Noor M S,Hadis M,et al. J Appl Phys, 1996,80(5) :3031. 被引量：1
10Wu Y F,Keller B P,Fini P,et al. IEEE Electron Device Lett,1998,19(2):50. 被引量：1

1王玮,王宏兴.GaN功率开关器件研究现状[J].半导体技术,2020,0(2):99-109. 被引量：2
2薛丽君,刘明,王燕,禡龙,鲁净,谢常青,夏洋.偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析[J].固体电子学研究与进展,2007,27(2):181-185.
3邵刚,刘新宇,和致经,刘键,魏珂,陈晓娟,吴德馨.蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制[J].电子器件,2004,27(3):381-384. 被引量：3
4邵刚,刘新宇,和致经,刘键,魏珂,陈晓娟,吴德馨,王晓亮,陈宏.高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制[J].Journal of Semiconductors,2005,26(1):88-91. 被引量：4
5郝跃,杨燕,张进城,王平.4H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的研制[J].Journal of Semiconductors,2004,25(12):1672-1674.
6张志国,杨瑞霞,王勇,冯震,杨克武.跨导为325mS/mm的AlGaN/GaNHFET器件[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1789-1792. 被引量：2
7陈晓娟,刘新宇,和致经,刘建,吴德馨.C波段0.75mmAlGaN/GaN功率器件[J].Journal of Semiconductors,2005,26(9):1804-1807. 被引量：2
8钟西军,王元洪.奋力打造生态旅游工业镇推动经济社会全面协调可持续发展[J].决策探索,2005(11):50-50.
9王勇,冯震,张志国.支撑技术AlGaN/GaN HEMT高跨导特性的研究[J].半导体技术,2005,30(12):49-51.
10刘喆,王军喜,李晋闽,刘宏新,王启元,王俊,张南红,肖红领,王晓亮,曾一平.在复合衬底γ-Al_2O_3/Si(001)上生长GaN[J].Journal of Semiconductors,2005,26(12):2378-2384. 被引量：1

电子世界

2016年第12期

内容加载中请稍等...