摘要
Y2002-63302-108 0305089采用 CMOS 兼容技术的射频双极晶体管=RF bipolartransistors in CMOS compatible technologies[会,英]/Sun,I.-S.M.& Ng,W.T.//2001 IEEE HongKong Electron Devices Meeting.—108～111(E)Y2002-63306-180 03050900.1μm增强模式伪晶 InGaAs/InAlAs/InP 高电子迁移率晶体管=0.1μm enhancernent-mode pseudomorphicInGaAs/InAlAs/InP HEMT[会,英]/Grundbacher,R.& Lai,R.//2001 IEEE International Collference on In-dium Phasphide and Related Materials.—180～183(E)
出处
《电子科技文摘》
2003年第3期18-19,共2页
Sci.& Tech.Abstract
