晶体管、MOS器件

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摘要 Y2000-62078-221 0007501具阶梯式栅结构的射频横向双扩散 MOS 场效应晶体管=RF LOMOS FET with graded gate structure[会,英]/Xu,S & Foo,P.D.//1999 International Sympo-sium on Power Semiconductor Devices and IC’s.—221～224(U)

出处《电子科技文摘》 2000年第5期27-28,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词场效应晶体管横向绝缘栅双极晶体管双扩散光敏器件阶梯式射频实验特性收录论文热不稳定性高压集成电路

分类号 TN [电子电信]

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