半导体材料

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摘要 Y2000-62068 00053831998年 IEEE 半导体材料和绝缘材料会议录=1998IEEE semiconducting and insulating materials conference[会,英]/IEEE.—IEEE,1999.—346P.(UC)本次会议为其第10届会议。该会议录共收录论文74篇,其内容涉及:晶体生长,半绝缘Ⅲ-Ⅴ化合物半导体,非化学计量Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。

出处《电子科技文摘》 2000年第4期7-8,共2页 Sci.& Tech.Abstract

关键词半导体材料化合物半导体晶体生长会议录非化学计量绝缘材料收录论文半绝缘半导体器件纳米硅薄膜

分类号 TN [电子电信]

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1禹争光,杨邦朝.ZnO压敏电阻界面导电特性研究[J].功能材料,2004,35(6):709-710. 被引量：9
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3张鑫,刘剑,李宜,苏文斌,李吉超,祝元虎,李茂奎,王春明,王春雷.Enhancement of Thermoelectric Performance of Sr0.9Ba0.1Ti0.8Nb0.2O3 Ceramics by A-Site Cation Nonstoichiometry[J].Chinese Physics Letters,2015,32(3):113-116.
4Sheng-nan Zhang,Guang-yu Jiang,Tie-jun Zhu,Xin-bing Zhao,Sheng-hui Yang.Doping effect on thermoelectric properties of nonstoichiometric AgSbTe_2 compounds[J].International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials,2011,18(3):352-356. 被引量：2
5文雨水.钒磷酸钇发光材料[J].液晶与显示,1990,10(Z1):94-95.
6利用磁场热处理改善多晶Ni2MnGa的磁驱动可逆应变量的方法[J].磁性材料及器件,2005,36(1):45-45.
7冯士维,李瑛,孙静莹,谢雪松,杨集,张跃宗,卢毅成.ZnO紫外光电导型探测器的制备与研究[J].北京工业大学学报,2007,33(7):678-681. 被引量：3
8刘彭义,陈俊芳.用PECVDS制备SnO_2薄膜的结构、成份和气敏特性[J].传感器世界,1997,3(8):24-28. 被引量：1
9XU Jie,ZHANG Duan-Ming.Longitudinal Magnetoresistance and ＂Chirar＇ Coupling in Silver Chalcogenides[J].Communications in Theoretical Physics,2011,55(3):532-536. 被引量：1
10Rui He,Sukrit Sucharitakul,Zhipeng Ye,Courtney Keiser,Tim E. Kidd,Xuan P. A. Gao.Laser induced oxidation and optical properties of stoichiometric and non-stoichiometric Bi2Te3 nanoplates[J].Nano Research,2015,8(3):851-859. 被引量：1

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