摘要
Y98-61460-146 9915116多层敷铜同高性能0.25μm 以下 CMOS 技术的综合=Integration of multi—level copper metallization into a highperformance sub-0.25μm CMOS technoloay[会,英]/Venkatesan,S.& Venkatraman,R.//1998 IEEE 2ndInternational Caracas Gonferenee on Devices,Circuits andSystems.—146～152(YG)9915117CMOS 数字摄象 IC
出处
《电子科技文摘》
1999年第10期31-31,共1页
Sci.& Tech.Abstract
