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摘要 Y98-61303-149 9904610工艺综合方法论在首次制造合格的高性能深亚微米CMOS 电路中的应用=An application of process syn-thesis methodology for first-pass fabrication success ofhigh performance deep-submicron CMOS[会,英]/Saxe-

出处《电子科技文摘》 1999年第4期43-43,共1页 Sci.& Tech.Abstract

关键词深亚微米电子工艺方法论工艺综合高性能半导体硅材料集成电路学术会议测试要求电子学会

分类号 TN [电子电信]

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