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砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)

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摘要 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4.1含GalnNAs(Sb)晶格匹配的三~五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难,这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道,他们制备了高质量的稀N含量GaInNAs(Sb)分子束外延材料,并成功研制了GaInP/GaAs/GaInNAs(Sb)三结叠层电池。
出处 《太阳能》 2016年第1期10-11,共2页 Solar Energy
  • 相关文献

参考文献3

  • 1Wiemer M, Sabnis V, Yuen H. 43.5% efficient lattice matched solar cells[A]. Proceedings of SHE[C], San Diego, California, 2011, 810804-1 - 810804-5. 被引量:1
  • 2Friedman D J, Olson J M, Kurtz S. High-efficiency III-V multijunction solar cells, chapter 8 in handbook of photovoltaics engineering[M]. England: Chichester, John Wiley and Sons, 201 1. 被引量:1
  • 3Patel P, Aiken D, Chumney D, et al. Initial results of the monolithically grown six-junction inverted metamorphic multijunction solar cells[A]. Proceedings of 38th IEEE PVSC[C], Austin, Texas, 2012. 被引量:1

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