日本松下公司抑制常关态氮化镓晶体管的电流崩塌可达800V

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摘要日本松下公司在栅注入晶体管结构中嵌入混合漏极,对常关态氮化镓晶体管的电流崩塌进行抑制达800V。混合漏极由一个普通漏极和一个附加的p型漏极组成,p型漏极通过在铝镓氮势垒层沉积p型氮化镓形成。两个漏极区域连接。研究人员认为其应用包括下一代高效率可靠高功率开关。氮化镓晶体管中的电流崩塌描述为与直流测试相比。

作者科信

出处《半导体信息》 2015年第6期20-20,共1页 Semiconductor Information

关键词氮化镓日本松下公司漏极直流测试势垒层功率开关导通电阻阈值电压击穿电压外延层

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

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