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Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的低温光致发光

Photoluminescence of Group Ⅲ-Ⅴ Semiconductors at Low Temperature

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摘要砷化镓、磷化铟等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体已广泛应用于微波、光电等器件中.为了提高材料质量,我们建立了灵敏、非破坏性的检测手段——低温光致发光.它还适合于微区和薄膜的研究,是分析GaAs等Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中杂质和缺陷的有效方法之一.本文将介绍低温光致发光的实验技术和部份实验结果.

作者于鲲孟庆惠李永康吴灵犀陈廷杰徐寿定

机构地区中国科学院物理研究所中国科学院半导体研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS 1981年第3期243-246,共4页 半导体学报（英文版）

关键词光致发光谱低温光致发光汽相外延 GAAS 双光栅单色仪激发光

分类号 TN3 [电子电信—物理电子学]

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Journal of Semiconductors

1981年第3期

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