宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望被引量：4

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摘要半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石，以硅（Si）和砷化镓（GaAs）材料为代表第1代、第3代半导体技术，奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础，极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展，传统的Si和GaAs半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料（即宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2．2eV）正日益受到人们的重视。

作者张伟儒陈建荣

机构地区北京中材人工晶体研究院有限公司

出处《新材料产业》 2015年第12期18-23,共6页 Advanced Materials Industry

关键词宽禁带半导体材料 AIN 现代信息技术 GaAs半导体展望半导体技术光电子工业理论极限

分类号 O649 [理学—物理化学] TQ133.1 [理学—化学]

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