NEC推出双波段WLAN系统用DPDT GaAs MMIC开关

导出

摘要日电公司(NEC)推出型号为UPG2035T5F双刀双掷(DPDT)GaAs MMIC开关,其工作频率为2.4～2.5GHz和4.8～6GHz。该开关用作802.11a和802.11b╱g之间的天线转接开关。对于无线局域网系统接收端而言,低插损意味着噪声系数小,而发射端的功耗小。高隔离有助于减小发射信号和接收信号间泄漏;高输入功率使用容量意味着线性更高,失真更小。

作者陈裕权

出处《半导体信息》 2004年第5期29-29,共1页 Semiconductor Information

关键词 WLAN系统 NEC DPDT GaAs MMIC 噪声系数无线局域网使用容量双刀接收端发射端插损

分类号 TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]

引文网络
相关文献

1李拂晓,蒋幼泉,陈继义,钮利荣,高建峰,邵凯,杨乃彬.高成品率砷化镓DPDT单片射频开关[J].固体电子学研究与进展,2003,23(2):202-204. 被引量：2
2白元亮,田国平.GaAs PHEMT通信开关电路设计[J].半导体技术,2013,38(9):656-660. 被引量：4
3M/A-COM大功率0.5-4.0 GHz DPDT GaAs开关[J].电子元器件应用,2006,8(1):85-85.
4吴国光.K9AY天线控制器的制作[J].无线电,2008(8):47-49.
5佘阿陵.用触发器实现-按键双功能电路[J].无线电,2007(5):56-56.
6高速PCIe无源开关,能够处理下一代数据速率[J].国外电子元器件,2008(10):7-7.
7MAX4889B/9C:高速PCle无源开关[J].世界电子元器件,2008(10):45-45.
8广芯电子推出可传输负信号功能的模拟开关系列BCT4321[J].中国集成电路,2011,20(4):4-4.
9江宁.巧用双刀开关设计控制电路[J].数理化学习,2016(6):53-54.
10陈裕权.Picogiga推出Si衬底AlGaN/GaN外延层[J].半导体信息,2004,0(3):37-37.

半导体信息

2004年第5期

浏览历史

内容加载中请稍等...

NEC推出双波段WLAN系统用DPDT GaAs MMIC开关

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史