高性能808nm激光器外延材料

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摘要化合物半导体外延晶片的领先开发与生产厂家EpiWorks公司宣布已具备生产高性能808 nm GaAs激光器晶片的能力。 808 nm GaAs激光器对许多工业用途如做标记、编码及焊接来说是必不可少的。Epiworks公司已开发出制作808 nm激光器的性能领先的外延材料,用该外延材料制作的器件达到了优良的器件性能和可靠性。

作者陈裕权

出处《半导体信息》 2003年第3期28-28,共1页 Semiconductor Information

关键词外延材料化合物半导体输出功率腔长工业用途寿命试验发射体陈裕

分类号 TN248 [电子电信—物理电子学]

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