期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

6GHz单电压E-pHEMT

原文传递

导出

摘要安捷伦科技(Agilent)推出单电压 E—pHEMT 产品 ATF—53 IP8。ATF—53IP8EpHEMT 可提供许多领先性能,包括0.6dB 的噪声系数、+38 dBm 的 OIP3(第三阶输出截听点)和4V 的工作电压,可大大降低功耗。它适合第一期和第二期前端 LNA。

作者章从福

出处《半导体信息》 2003年第1期27-28,共2页 Semiconductor Information

关键词单电 E-PHEMT Hz 噪声系数领先性工作电压工作频段固定无线无线局域网蜂窝基站

分类号 TN32 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

1Jeff Wilson.采用PWM的电压反相器[J].电子设计技术 EDN CHINA,2011,18(10):50-50.
26GHz单电压E—pHEMT FET[J].世界电子元器件,2002(12):91-92.
3JohnMiller.RDFC—低成本单电压输入开关电源[J].电子设计应用,2008(1):115-116.
46GHz的单电压增强型PHEMT场效应管[J].世界产品与技术,2002(12):64-64.
5安捷伦科技为无线应用推出高达6GHz单电压、增强型PHEMT场效应管[J].电子工程师,2002,28(12):61-61.
6安捷伦新推SOT-89封装产品ATF-52189和ATF-53189[J].电子测试（新电子）,2005(3):77-77.
7力旺电子推出16nm强效版FinFETNeoFuseOTPIP[J].中国集成电路,2015,24(10):12-12.
8SSM2380:D类立体声音频放大方案[J].世界电子元器件,2010(6):12-13.
9林燕强,王宁,刘书婷,徐立国,徐庆宇,肖长诗.单电压控制的电润湿显示阵列的制备与研究[J].现代显示,2012(1):23-27. 被引量：2
10小路.以平民价获得的音乐味清逸伦G＆WTW-268MK Ⅲ动态反馈合并式功放[J].视听前线,2015(6):34-37.

半导体信息

2003年第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部