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评估RF-LDMOS器件重要参数解析

Analyzing important parameters about evaluated RFLDMOSdevice
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摘要 RF-LDMOS器件作为射频功率器件在目前的高频放大领域占据了很大的市场,从而评估这种器件的参数也变得非常重要。其作为场效应管的直流特性参数,电容特性参数以及高频应用领域的射频性能参数直接关系到对于RF-LDMOS器件是否优良的判断以及是否能够在高频应用场合胜任的重要参考。 As a RF power device, RF-LDMOS device is the popular device in high frequency amplifier market, so how to evaluate the device is very important. Its DC characteristic, Capacitance characteristic& RF performance in high frequency application directly related to judgment for a RF-LDMOSdevice, and whether it can hand in high frequency applications up to the important reference.
作者 李树琪
出处 《电子测试》 2015年第10期116-118,共3页 Electronic Test
关键词 RF-LDMOS器件 直流特性 电容特性 射频性能 RF-LDMOS device DC characteristic Capacitance characteristic RF performance
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参考文献3

  • 1云振新,戴洪波.RF LDMOS功率晶体管及其应用[J].半导体情报,2001,38(3):16-20. 被引量:5
  • 2Ma G, Burger W, Ren X. gate LDMOS power FET communications. IEEE MTT High efficiency submicron for low voltage wireless S Digest, 1997, 3:1303. 被引量:1
  • 3Zhang Wenmin, Zhang Wei, Fu Jun, Wang Yudong. An analytical model for the drain-source breakdown voltage of RF LDMOS power transistors with a Faraday shield. Journal of Semiconductors, 2012, 33 (4):044001-1 - 044001-6. 被引量:1

二级参考文献1

共引文献4

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