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新RC-H5系N:IGBT

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摘要 英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的650V器件,再次扩展其新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。新推出的分立式RC—H5650V电源半导体与所有的RC—H5产品一样,比前一代产品更加高效节能,可进一步降低30%的开关损耗,使设计人员将能够使用的lGBT工作频率提高到40kHz。基于RC—H5650V的系统不仅节能性能出色,
出处 《世界电子元器件》 2014年第7期26-26,共1页 Global Electronics China
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