高纯真空区熔硅单晶在快速热退火下的红外吸收

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摘要高纯真空区熔硅单晶经离子注入和氮气氛中的快速热退火后,在4.2K的红外吸收谱中观察到1136cm^(-1)的氧特征峰;而类似的样品未经快速热退火,则无此吸收峰。利用硅表面的SiO_2层中氧的恒定表面浓度扩散近似,得到样品中氧的计算值和实验值大致相符。

作者张继昌邬建根马碧兰屈逢源朱景兵

机构地区同济大学复旦大学中国科学院红外物理国家实验室

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期187-189,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词硅晶体快速热退火红外吸收

1闫萍,陈立强,张殿朝.高阻真空区熔硅单晶的生长[J].半导体技术,2007,32(4):301-303. 被引量：6
2杨启基.真空区熔特高阻硅单晶[J].浙江大学学报（自然科学版）,1992,26(3):364-367. 被引量：1
3张殿朝,闫萍,索开南,庞炳远.真空区熔硅单晶生长技术研究[J].天津科技,2010,37(2):4-5.
4闫萍,庞炳远,索开南.硅中微量硼元素的区熔掺杂[J].半导体技术,2014,39(1):60-63.
5杨方.大功率晶体管材料参数计算与分析[J].科学技术与工程,2013,21(16):4686-4690.
6田会娟,刘迎,王利军,张宇辉,肖立峰.Hybrid diffusion approximation in highly absorbing media and its effects of source approximation[J].Chinese Optics Letters,2009,7(6):515-518. 被引量：1
7孙国印.硅整流元件的纸源扩散工艺及应用[J].河南冶金,2001,9(6):39-40.
8白申兰,高艳杰.硅中磷的挥发速度系数的测定[J].河北大学学报（自然科学版）,1995,15(4):109-112.
9吴开华,杨冠玲,何振江,汪河洲.混浊介质参数对超短脉冲激光透射强度与形状的影响[J].中国激光,1999,26(7):622-626. 被引量：1
10王胜华,郭柏灵.迁移方程的扩散近似的收敛性(英文)[J].应用泛函分析学报,2005,7(4):317-323.

稀有金属

1991年第3期

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