微波和毫微波半导体分立器件的发展动向
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1康瑞媛,汪蕾,刘萌萌.星用S频段3W功率放大器设计[J].空间电子技术,2012,9(3):44-47. 被引量：1
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2程文芳,盛柏桢.微波半导体功率器件及其应用[J].电子与封装,2003,3(1):26-33. 被引量：5
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3王向武,赵仲镛,陆春一,孙景山.用于硅双漂移雪崩二极管的n^+/np多层外延材料[J].稀有金属,1992,16(3):218-222. 被引量：5
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4张旭明.卫星广播电视地球站固态高功率放大器性能分析[J].广播电视信息,2017,24(4):76-77. 被引量：1
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5张福琼.SiC微波半导体在T/R组件中的应用前景[J].中国电子科学研究院学报,2008,3(6):631-634. 被引量：2
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6吴东岩,谭志良.ESD对微波半导体器件损伤的物理机理分析[J].河北科技大学学报,2013,34(4):308-312.
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7谭志良,吴东岩,刘进.微波半导体晶体管静电放电损伤机理[J].高电压技术,2014,40(3):904-909. 被引量：3
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8王卓鹏,杨卫平,高国成.快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模[J].系统工程与电子技术,1999,21(11):56-57. 被引量：2
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9蒋建斌.固态功率放大器在卫星地球站的应用[J].广播与电视技术,2003,30(12):83-84.
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