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硅变容管的发展趋势 被引量:3

Development Trend of Si Varactor
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摘要 总结了硅变容管的发展趋势 ,离子注入化、电容配对中测化、集成化、低压化、超小型化。 Development trend of Si varactor is summarized:ion implantation,to match capacitance during testing,integration,low voltage,super miniaturization,SMD and wide application.
作者 翁寿松
出处 《微电子技术》 2001年第3期18-22,共5页 Microelectronic Technology
关键词 硅变容管 离子注入 电容配对 Si Varactor Development Application
  • 相关文献

参考文献6

二级参考文献5

共引文献5

同被引文献2

  • 1张厥蛊,郑继禹.万心平.锁相技术西安电子科技大学出版社.2000 被引量:1
  • 2陆熊,张素文编.高频电子线路.高等教育出版社.1993 被引量:1

引证文献3

二级引证文献10

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