摘要
1 3μmInGaAsP半导体激光器广泛用于光纤通信系统。为了扩大其应用至核环境和外层空间 ,对InGaAsP半导体激光器的电子辐照进行了研究。在电子能量为 0 4～ 1 80MeV范围内 ,注量为 1× 10 12 ～ 2× 10 16cm-2 条件下进行辐照。在注量小于 1× 10 15cm-2 时对InGaAsP半导体激光器的输出性能影响是非致命的。当辐照注量超过 1× 10 15cm-2 时激光器的输出功率则呈数量级下降 ,如镀以Y2 O3 ZrO2 膜能使半导体激光器的抗辐照性能得到提高。
m InGaAsP laser diodes are widely used in optical fiber transference system. In order to expand the application in other fields, the effect of electron radiation of 1 3 μm InGaAsP laser diodes is studied. The results show that for the energy of electron ranges from 0 4 MeV to 1 8 MeV, the fluence of 1×10 15 cm -2 is a critical point, beyond which, the laser diodes are damaged. The Y 2O 3-ZrO 2 coatings are valuable to the laser diodes for radiation protection.
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第6期497-500,共4页
Chinese Journal of Lasers
基金
国家自然科学基金 (编号 :6 95 76 0 17)资助项目
