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外电场下GaAS/Ga_(1-x)Al_xAS量子阱中激子的结合能 被引量:2

Binding Energy of Exciton in a GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs Quantum Well within an Electric Field
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摘要 本文采用推广的LLP变分法研究纵光学声子对处于外电场下量子阱中激子结合能的影响。求出在不同外场及阱宽下的激子结合能。结果显示,纵光学声子对激子结合能有明显的影响。 The influence of longitudinal optical (LO) phonons on the binding energy of exciton in a quantum well within an external electric field has been studied by a generalized LLP variational method. The binding energy is obtained as a function of the electric field strength as well as the well width. Resit shows that the LO-phonon influence in the binding energy is significant.
出处 《广州师院学报(自然科学版)》 1994年第1期78-86,共9页
基金 国家自然科学基金
关键词 量子阱 激子 结合能 激子-声子相互作用 纵光学声子 外电场 哈密顿量 quantum well exciton binding energy phonon exciton-phonon interaction.
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